SK하이닉스는 2세대 10나노급(Iy) 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8기가비트급 DDR D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

1세대(1x) 제품보다 생산성은 약 20% 향상됐고, 전력소비는 15% 이상 줄인 이 제품은 DDR4 규격이 지원하는 최대치인 3천200Mbps의 데이터 전송속도를 안정적으로 구현할 수 있다.

특히 데이터 전송속도를 높이기 위해 '4페이즈 클로킹(Phase Clocking)' 설계기술이 적용됐다. 이는 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존 대비 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다.

아울러 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자 기술인 '센스 앰프'(Sense Amp)도 적용했다고 회사 측은 설명했다.

SK하이닉스는 PC와 서버시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에서 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용한다는 방침이다.

D램마케팅 담당 김석 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품"이라면서 "내년 1분기부터 공급에 나서 시장수요에 적극적으로 대응할 것"이라고 말했다.

윤세훈 기자  press@jeonpa.co.kr

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