삼성전자가 올가을 '테크 데이'에서 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 메모리 반도체 전략을 내놓을지 관심이 쏠린다.

10일 업계에 따르면 삼성전자 메모리사업부는 오는 10월 20일 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션센터에서 '메모리 테크 데이 2023' 행사를 연다.

행사에서 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 기술 혁신과 생태계 조성에 초점을 맞춘 비즈니스 전략을 주제로 기조연설을 한다.

배용철 부사장, 박종규 상무 등 메모리사업부 임원들도 연사로 나선다. 브레이크아웃 세션에서는 메모리 솔루션, 스토리지 기술, 전장 등을 논의한다.

'테크 데이'는 삼성전자가 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로 2017년부터 매년 열리고 있다.

작년 행사에서 삼성전자는 2023년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표한 바 있다.

또 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1천단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다. 작년 하반기부터 생산한 8세대 V낸드는 236단 수준이다.

삼성전자가 올해 행사에서도 차세대 D램 및 낸드 관련 최신 동향과 새로운 전략 등을 발표할지 업계에서는 주목하고 있다.

AI 열풍에 수요가 증가하는 차세대 D램 HBM(고대역폭메모리) 개발 경과, 낸드 셀 적층 기술 현황 등이 관전 포인트다.

삼성전자 시스템LSI사업부도 10월 5일 새너제이에서 '테크 데이' 행사를 열어 인간 기능에 근접한 최첨단 시스템 반도체 '세미콘 휴머노이드' 개발 계획 등을 소개한다.

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