삼성전자가 약 8조원 규모의 메모리 반도체 추가 투자를 발표하며 '초격차' 전략에 힘을 실었다.

지난달 21일 파운드리 라인 투자를 발표한 지 열흘만으로, 평택캠퍼스가 최첨단 반도체 복합생산기지로 발돋움할 것이란 분석이다.

◇ 중국 추격 따돌린다…메모리 초격차 '속도'

삼성전자는 지난달 평택 2라인(P2)에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며 내년 하반기 양산을 시작할 계획이다.

▲ 삼성전자 P2 라인 전경

신규 라인에서는 100단 이상의 6세대 V낸드가 양산될 것으로 추정된다. 향후 기술 개발 로드맵에 따라 차세대 제품이 양산될 가능성도 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있으며 평택 V낸드 전용라인에 6세대 기반 SSD 라인업을 확대하고 있다.

삼성전자는 세계 낸드 시장 점유율에서 작년 기준 36%를 기록하며 압도적인 기술력을 유지하고 있다.

다만 점유율은 2018년 대비 2%포인트 하락했고, 올해 들어서는 중국 메모리 반도체 추격이 만만치 않다.

중국 양쯔메모리(YMTC)는 4월 삼성의 6세대 낸드 수준인 128단 낸드를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다.

이르면 올 연말 양산에 돌입한다는 계획이어서 삼성과의 격차를 1년 수준으로 좁히게 될 것이란 우려도 나온다.

삼성전자도 올 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 중국의 이러한 추격을 '새로운 모멘텀'으로 평가하기도 했다.

삼성전자는 이번 투자를 포함해 고품질, 고성능 제품 기반 기술 우위를 확대하는 것을 최우선순위로 두고 초격차에 속도를 내겠다는 계획이다.

◇ '비대면' 수요 폭증에 메모리 투자 선제대응

신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 확산에 따른 비대면 서버 메모리 수요 증가도 이번 투자 결정을 부추긴 것으로 보인다.

최근 5세대 이동통신(5G) 보급에 따라 데이터 사용량이 늘어났고, 비대면 경제 활성화로 이러한 추세는 가속할 전망이다.

시장조사업체 IDC에 따르면 전 세계 데이터 총량은 2016년 16ZB(1조기가바이트) 수준에서 2025년 163ZB로 10배 이상 증가할 것으로 예상됐다.

이에 따라 데이터 처리속도가 빠르고 전력 소모량이 낮은 메모리 반도체에 대한 수요 증가세도 이어질 것이란 관측이다.

삼성전자도 컨퍼런스콜을 통해 낸드플래시 수요는 서버 중심으로 강세가 지속했고, 이러한 추이가 하반기에도 이어질 것으로 봤다.

증권가에서는 삼성전자가 이러한 수요 폭증을 충분히 흡수할 수 있을 것으로 내다보고 있다.

미래에셋대우는 지난달 보고서에서 내년 삼성전자 빗 그로스(비트 단위 출하증가율)를 43%로 추정하며 "삼성의 지속적인 낸드 투자는 향후 낸드 점유율과 생산능력 독점으로 이어질 것"이라고 예측했다.

삼성전자는 시안 반도체 공장 증설 투자도 이어오고 있으며 증설 라인에서는 5세대(9X단) V낸드가 생산된다.

◇ "최첨단 반도체 복합생산기지"…이재용 '위기 속 투자'

이번 투자로 평택캠퍼스는 '최첨단 반도체 복합생산기지'로 거듭나게 될 것이라는 게 업계 평가다.

앞서 삼성전자는 지난 3월 D램에도 극자외선(EUV) 공정을 적용한다고 밝히며 평택 신규 라인을 생산 거점으로 짚었다.

이후 지난달 21일 P2 라인에 EUV 파운드리(반도체 위탁생산)를 들여놓겠다는 투자 계획도 발표했다.

이날 6세대 낸드플래시 투자 계획까지 포함하면 평택캠퍼스는 그야말로 최첨단 반도체 핵심 기지로 탈바꿈하게 된다.

재계에서는 이번 투자가 '위기일수록 더 투자한다'는 삼성전자의 메모리 성공 방정식과 맞닿아 있다고 보고 있다.

코로나19와 미·중 분쟁 등 전대미문의 불확실성 속에서 대다수 기업이 투자를 주저하는 가운데 선제적 결단을 내렸다는 것이다.

이재용 삼성전자 부회장은 지난달 6일 기자회견에서 "끊임없는 혁신과 기술력으로 가장 잘할 수 있는 분야에 집중하고 신사업에 과감하게 도전하겠다"고 밝힌 데 이어, 지난달 21일에는 평택 파운드리 투자를 발표하면서 "어려울 때일수록 투자를 멈춰서는 안 된다"고 강조했다.

이번 투자를 두고 일각에서는 이 부회장의 경영철학과 혁신 의지가 반영된 결정이라고 분석하고 있다.

<연합>

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